NGTB30N135IHR1WG

NGTB30N135IHR1WG ON Semiconductor


NGTB30N135IHR1_D-1813181.pdf Виробник: ON Semiconductor
IGBT Transistors 1350V/30A IGBT FSII
на замовлення 206 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NGTB30N135IHR1WG ON Semiconductor

Description: IGBT 1350V 30A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/200ns, Switching Energy: 630µJ (off), Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 220 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 394 W.

Інші пропозиції NGTB30N135IHR1WG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NGTB30N135IHR1WG
Код товару: 129042
ngtb30n135ihr1-d.pdf Транзистори > IGBT
товар відсутній
NGTB30N135IHR1WG NGTB30N135IHR1WG Виробник : ON Semiconductor 119ngtb30n135ihr1-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB30N135IHR1WG NGTB30N135IHR1WG Виробник : onsemi ngtb30n135ihr1-d.pdf Description: IGBT 1350V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/200ns
Switching Energy: 630µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 394 W
товар відсутній