Технічний опис NGTB30N135IHRWG ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 1350V 60A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/250ns, Switching Energy: 850µJ (off), Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 234 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 394 W.
Інші пропозиції NGTB30N135IHRWG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NGTB30N135IHRWG | onsemi |
 IGBT Transistors 1350V/30A IGBT FSII TO-24 |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
NGTB30N135IHRWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB30N135IHRWG - IGBT, 60 A, 2.3 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 394W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 45321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. |
| NGTB30N135IHRWG | ON Semiconductor |
|
на замовлення 260 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NGTB30N135IHRWG |
|
Виробник: onsemi
IGBT Transistors 1350V/30A IGBT FSII TO-24
IGBT Transistors 1350V/30A IGBT FSII TO-24
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NGTB30N135IHRWG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB30N135IHRWG - IGBT, 60 A, 2.3 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NGTB30N135IHRWG - IGBT, 60 A, 2.3 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NGTB30N135IHRWG |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)