Продукція > ONSEMI > NGTB30N60SWG
NGTB30N60SWG

NGTB30N60SWG onsemi

NGTB30N60SWG.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 57ns/109ns
Switching Energy: 750µJ (on), 540µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 189 W
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
135+156.73 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NGTB30N60SWG onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 57ns/109ns, Switching Energy: 750µJ (on), 540µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 90 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 189 W.

Інші пропозиції NGTB30N60SWG за ціною від 198.89 грн до 198.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NGTB30N60SWG Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013670080-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NGTB30N60SWG - 600V-30A IGBT FSI TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+198.89 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60SWG Виробник : ON Semiconductor NGTB30N60SWG.pdf
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60SWG NGTB30N60SWG Виробник : ON Semiconductor ngtb30n60sw-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 189000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60SWG NGTB30N60SWG Виробник : onsemi NGTB30N60SWG.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 57ns/109ns
Switching Energy: 750µJ (on), 540µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 189 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60SWG NGTB30N60SWG Виробник : onsemi NGTB30N60SW_D-2317931.pdf IGBT Transistors 600V/30A IGBT FSI TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.