NGTB35N65FL2WG ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 35A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 447.69 грн |
| 10+ | 337.66 грн |
| 20+ | 282.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGTB35N65FL2WG ONSEMI
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 68 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns, Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off), Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 125 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 70 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 300 W.
Інші пропозиції NGTB35N65FL2WG за ціною від 185.37 грн до 509.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NGTB35N65FL2WG | onsemi |
IGBTs 650V/35A FAST IGBT FSII T |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| NGTB35N65FL2WG | ON Semiconductor |
|
на замовлення 2408 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NGTB35N65FL2WG |
|
Виробник: onsemi
IGBTs 650V/35A FAST IGBT FSII T
IGBTs 650V/35A FAST IGBT FSII T
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 509.82 грн |
| 10+ | 264.24 грн |
| 120+ | 191.01 грн |
| 540+ | 185.37 грн |
| NGTB35N65FL2WG |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)