Продукція > ONSEMI > NGTB35N65FL2WG
NGTB35N65FL2WG

NGTB35N65FL2WG onsemi

ngtb35n65fl2w-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns
Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+488.30 грн
30+268.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NGTB35N65FL2WG onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 68 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns, Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off), Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 125 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 70 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 300 W.

Інші пропозиції NGTB35N65FL2WG за ціною від 187.82 грн до 519.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NGTB35N65FL2WG NGTB35N65FL2WG Виробник : onsemi NGTB35N65FL2W-D.PDF IGBTs 650V/35A FAST IGBT FSII T
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+519.28 грн
10+295.86 грн
120+187.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N65FL2WG Виробник : ON Semiconductor ngtb35n65fl2w-d.pdf
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N65FL2WG NGTB35N65FL2WG Виробник : ON Semiconductor ngtb35n65fl2w-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N65FL2WG Виробник : ONSEMI ngtb35n65fl2w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 35A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.