Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NGTB35N65FL2WG
NGTB35N65FL2WG

NGTB35N65FL2WG ON Semiconductor

ngtb35n65fl2w-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
54+264.02 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NGTB35N65FL2WG ON Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 68 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns, Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off), Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 125 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 70 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 300 W.

Інші пропозиції NGTB35N65FL2WG за ціною від 274.25 грн до 434.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NGTB35N65FL2WG NGTB35N65FL2WG ON Semiconductor ngtb35n65fl2w-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+278.06 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N65FL2WG NGTB35N65FL2WG ONSEMI ngtb35n65fl2w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 150W
Gate charge: 125nC
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+434.60 грн
10+327.78 грн
20+274.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N65FL2WG NGTB35N65FL2WG onsemi ngtb35n65fl2w-d.pdf IGBTs 650V/35A FAST IGBT FSII T
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N65FL2WG ON Semiconductor ngtb35n65fl2w-d.pdf
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N65FL2WG ngtb35n65fl2w-d.pdf
NGTB35N65FL2WG
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+278.06 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N65FL2WG ngtb35n65fl2w-d.pdf
NGTB35N65FL2WG
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 150W
Gate charge: 125nC
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+434.60 грн
10+327.78 грн
20+274.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N65FL2WG ngtb35n65fl2w-d.pdf
NGTB35N65FL2WG
Виробник: onsemi
IGBTs 650V/35A FAST IGBT FSII T
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N65FL2WG ngtb35n65fl2w-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.