на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 491.81 грн |
| 10+ | 286.30 грн |
| 120+ | 248.19 грн |
| 540+ | 181.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGTB35N65FL2WG onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 68 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns, Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off), Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 125 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 70 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 300 W.
Інші пропозиції NGTB35N65FL2WG за ціною від 277.52 грн до 504.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NGTB35N65FL2WG | Виробник : onsemi |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 68 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off) Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 125 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 300 W |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| NGTB35N65FL2WG | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2408 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
 |
NGTB35N65FL2WG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |