NGTB35N65FL2WG ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 54+ | 265.79 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
54 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGTB35N65FL2WG ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 68 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns, Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off), Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 125 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 70 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 300 W.
Інші пропозиції NGTB35N65FL2WG за ціною від 244.37 грн до 444.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NGTB35N65FL2WG | ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
NGTB35N65FL2WG | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 150W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 35A Power dissipation: 150W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 125nC Kind of package: tube |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||
 |
NGTB35N65FL2WG | onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 68 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off) Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 125 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 300 W |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
NGTB35N65FL2WG | onsemi |
IGBTs 650V/35A FAST IGBT FSII T |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NGTB35N65FL2WG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 279.93 грн |
| NGTB35N65FL2WG |
|
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 35A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 35A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 439.84 грн |
| 10+ | 279.27 грн |
| NGTB35N65FL2WG |
|
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns
Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns
Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 444.42 грн |
| 30+ | 244.37 грн |
| NGTB35N65FL2WG |
|
Виробник: onsemi
IGBTs 650V/35A FAST IGBT FSII T
IGBTs 650V/35A FAST IGBT FSII T
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)