NGTB40N120FL2WG ONSEMI
Виробник: ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 267W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 313nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 481.02 грн |
| 10+ | 402.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGTB40N120FL2WG ONSEMI
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 240 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns, Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 313 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 535 W.
Інші пропозиції NGTB40N120FL2WG за ціною від 213.64 грн до 624.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NGTB40N120FL2WG | Виробник : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 240 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 313 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 535 W |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
NGTB40N120FL2WG | Виробник : onsemi |
IGBTs 1200V/40A FAST IGBT FSII |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NGTB40N120FL2WG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 9420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NGTB40N120FL2WG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
NGTB40N120FL2WG Код товару: 165841
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
|
|
NGTB40N120FL2WG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 652000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |

