Продукція > Транзистори > IGBT > NGTB40N120FL2WG

NGTB40N120FL2WG

ngtb40n120fl2w-d.pdf
Код товару: 165841
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції NGTB40N120FL2WG за ціною від 214.01 грн до 518.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NGTB40N120FL2WG NGTB40N120FL2WG ONSEMI ngtb40n120fl2w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 267W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Gate charge: 313nC
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+485.92 грн
30+358.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WG NGTB40N120FL2WG onsemi ngtb40n120fl2w-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 313 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 535 W
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WG NGTB40N120FL2WG onsemi ngtb40n120fl2w-d.pdf IGBTs 1200V/40A FAST IGBT FSII
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+518.68 грн
10+295.33 грн
120+215.39 грн
600+214.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WG ONN ngtb40n120fl2w-d.pdf
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WG ngtb40n120fl2w-d.pdf
NGTB40N120FL2WG
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 267W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Gate charge: 313nC
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+485.92 грн
30+358.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WG ngtb40n120fl2w-d.pdf
NGTB40N120FL2WG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 313 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 535 W
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+500.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WG ngtb40n120fl2w-d.pdf
NGTB40N120FL2WG
Виробник: onsemi
IGBTs 1200V/40A FAST IGBT FSII
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+518.68 грн
10+295.33 грн
120+215.39 грн
600+214.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WG ngtb40n120fl2w-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.