NGTB40N120FL3WG


ngtb40n120fl3w-d.pdf
Код товару: 133614
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції NGTB40N120FL3WG за ціною від 159.81 грн до 483.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG onsemi ngtb40n120fl3w-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 160A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/145ns
Switching Energy: 1.6mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 212 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 454 W
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.02 грн
30+241.54 грн
120+201.76 грн
510+161.98 грн
1020+159.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG ONSEMI ngtb40n120fl3w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 212nC
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+475.18 грн
3+416.31 грн
10+397.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG onsemi ngtb40n120fl3w-d.pdf IGBTs IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/UPS
на замовлення 2549 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
1+483.24 грн
10+273.89 грн
120+198.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG ngtb40n120fl3w-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 160A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/145ns
Switching Energy: 1.6mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 212 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 454 W
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+438.02 грн
30+241.54 грн
120+201.76 грн
510+161.98 грн
1020+159.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG ngtb40n120fl3w-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 212nC
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+475.18 грн
3+416.31 грн
10+397.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG ngtb40n120fl3w-d.pdf
Виробник: onsemi
IGBTs IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/UPS
на замовлення 2549 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
КількістьЦіна
1+483.24 грн
10+273.89 грн
120+198.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.