NGTB40N120IHRWG onsemi
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Power - Max: 384 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 225 nC
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 950µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/230ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGTB40N120IHRWG onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247, Power - Max: 384 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Part Status: Obsolete, Gate Charge: 225 nC, Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 950µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: -/230ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 40A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції NGTB40N120IHRWG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NGTB40N120IHRWG | ON Semiconductor |
IGBT Transistors 1200V/40A RC IGBT FSII |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NGTB40N120IHRWG | ON Semiconductor |
|
на замовлення 7725 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NGTB40N120IHRWG |
|
Виробник: ON Semiconductor
IGBT Transistors 1200V/40A RC IGBT FSII
IGBT Transistors 1200V/40A RC IGBT FSII
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NGTB40N120IHRWG |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 7725 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)