NGTB40N120S3WG ON Semiconductor
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 94+ | 325.59 грн |
| 100+ | 312.40 грн |
| 500+ | 299.22 грн |
| 1000+ | 272.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGTB40N120S3WG ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 160A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 163 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/145ns, Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 212 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 454 W.
Інші пропозиції NGTB40N120S3WG за ціною від 419.06 грн до 498.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NGTB40N120S3WG | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NGTB40N120S3WG - IGBT, 160 A, 1.7 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 454W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
NGTB40N120S3WG | Виробник : onsemi |
IGBT Transistors IGBT 1200V 40A FS3 LOW VF |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||
| NGTB40N120S3WG | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 9034 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
 |
NGTB40N120S3WG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
NGTB40N120S3WG | Виробник : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 160A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 163 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/145ns Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 212 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 454 W |
товару немає в наявності |