NGTB40N120S3WG ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 94+ | 377.50 грн |
| 100+ | 362.21 грн |
| 500+ | 346.92 грн |
| 1000+ | 316.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGTB40N120S3WG ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 160A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 163 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/145ns, Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 212 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 454 W.
Інші пропозиції NGTB40N120S3WG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NGTB40N120S3WG | onsemi |
 IGBT Transistors IGBT 1200V 40A FS3 LOW VF |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
NGTB40N120S3WG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB40N120S3WG - IGBT, 160 A, 1.7 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 454W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 160A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NGTB40N120S3WG | ON Semiconductor |
|
на замовлення 9034 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NGTB40N120S3WG |
|
Виробник: onsemi
IGBT Transistors IGBT 1200V 40A FS3 LOW VF
IGBT Transistors IGBT 1200V 40A FS3 LOW VF
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NGTB40N120S3WG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB40N120S3WG - IGBT, 160 A, 1.7 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - NGTB40N120S3WG - IGBT, 160 A, 1.7 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NGTB40N120S3WG |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 9034 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)