NGTB40N120SWG
Код товару: 162412
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції NGTB40N120SWG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NGTB40N120SWG | On Semiconductor |
IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535000mW TO-247 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
NGTB40N120SWG | onsemi |
Description: IGBT TRENCH 1200V 80A TO-247-3 Power - Max: 535 W Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 313 nC Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns IGBT Type: Trench Supplier Device Package: TO-247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Reverse Recovery Time (trr): 240 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
NGTB40N120SWG | onsemi |
IGBT Transistors FSII 40A 1200V Welding |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| NGTB40N120SWG |
|
Виробник: On Semiconductor
IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535000mW TO-247 Транзистори
IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535000mW TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NGTB40N120SWG |
|
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH 1200V 80A TO-247-3
Power - Max: 535 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 313 nC
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: IGBT TRENCH 1200V 80A TO-247-3
Power - Max: 535 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 313 nC
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NGTB40N120SWG |
|
Виробник: onsemi
IGBT Transistors FSII 40A 1200V Welding
IGBT Transistors FSII 40A 1200V Welding
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.