Технічний опис NGTB40N60L2WG ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 73 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.61V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 98ns/213ns, Switching Energy: 1.17mJ (on), 280µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 228 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 417 W.
Інші пропозиції NGTB40N60L2WG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NGTB40N60L2WG | ON Semiconductor |
|
на замовлення 3570 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NGTB40N60L2WG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



