на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 407.17 грн |
| 10+ | 288.94 грн |
| 120+ | 226.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGTB40N65FL2WG onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 72 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 84ns/177ns, Switching Energy: 970µJ (on), 440µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 170 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 366 W.
Інші пропозиції NGTB40N65FL2WG за ціною від 284.92 грн до 513.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NGTB40N65FL2WG | Виробник : onsemi |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 72 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 84ns/177ns Switching Energy: 970µJ (on), 440µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 366 W |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
NGTB40N65FL2WG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
NGTB40N65FL2WG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
| NGTB40N65FL2WG | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 183W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 183W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 170nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 160A Collector-emitter voltage: 650V |
товару немає в наявності |