
NGTB40N65FL2WG onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/177ns
Switching Energy: 970µJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 366 W
на замовлення 7134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 531.11 грн |
30+ | 294.61 грн |
120+ | 246.92 грн |
510+ | 199.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGTB40N65FL2WG onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 72 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 84ns/177ns, Switching Energy: 970µJ (on), 440µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 170 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 366 W.
Інші пропозиції NGTB40N65FL2WG за ціною від 218.70 грн до 553.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NGTB40N65FL2WG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
NGTB40N65FL2WG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
NGTB40N65FL2WG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |