на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 215.88 грн |
| 30+ | 121.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGTB40N65IHRTG onsemi
Description: ONSEMI - NGTB40N65IHRTG - IGBT, 80 A, 1.55 V, 405 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 405W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NGTB40N65IHRTG за ціною від 127.57 грн до 127.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NGTB40N65IHRTG | Виробник : ON Semiconductor |
 IGBT Transistors 650V/40A MONOLITHIC RC IG |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
| NGTB40N65IHRTG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB40N65IHRTG - IGBT, 80 A, 1.55 V, 405 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 405W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 74703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
NGTB40N65IHRTG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 405000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |