NGTB40N65IHRTG ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 244+ | 144.65 грн |
| 500+ | 136.42 грн |
| 1000+ | 129.36 грн |
| 10000+ | 116.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGTB40N65IHRTG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NGTB40N65IHRTG - IGBT, 80 A, 1.55 V, 405 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 405W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NGTB40N65IHRTG за ціною від 117.11 грн до 208.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NGTB40N65IHRTG | onsemi |
Description: IGBT 650V 40APackaging: Tube |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
NGTB40N65IHRTG | onsemi |
IGBTs 650V/40A MONOLITHIC RC IG |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
| NGTB40N65IHRTG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB40N65IHRTG - IGBT, 80 A, 1.55 V, 405 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 405W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 74703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 270 шт В кошику од. на суму грн. |
| NGTB40N65IHRTG |
![]() |
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 208.03 грн |
| 30+ | 117.11 грн |
| NGTB40N65IHRTG |
![]() |
Виробник: onsemi
IGBTs 650V/40A MONOLITHIC RC IG
IGBTs 650V/40A MONOLITHIC RC IG
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NGTB40N65IHRTG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB40N65IHRTG - IGBT, 80 A, 1.55 V, 405 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 405W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NGTB40N65IHRTG - IGBT, 80 A, 1.55 V, 405 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 405W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 74703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





