NGTB50N120FL2WG

NGTB50N120FL2WG ON Semiconductor


ngtb50n120fl2w-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NGTB50N120FL2WG ON Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 256 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 118ns/282ns, Switching Energy: 4.4mJ (on), 1.4mJ (off), Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 311 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 535 W.

Інші пропозиції NGTB50N120FL2WG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NGTB50N120FL2WG NGTB50N120FL2WG Виробник : onsemi ngtb50n120fl2w-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 256 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 118ns/282ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 311 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 535 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N120FL2WG NGTB50N120FL2WG Виробник : onsemi NGTB50N120FL2W_D-2317805.pdf IGBT Transistors 1200V/50A FAST IGBT FSII
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.