Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NGTB50N60L2WG
NGTB50N60L2WG

NGTB50N60L2WG ON Semiconductor

ngtb50n60l2w-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
78+471.16 грн
100+447.97 грн
500+423.56 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 78 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NGTB50N60L2WG ON Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 67 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns, Switching Energy: 800µJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 310 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 500 W.

Інші пропозиції NGTB50N60L2WG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NGTB50N60L2WG On Semiconductor ngtb50n60l2w-d.pdf IGBT N-CH 600V 100A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60L2WG NGTB50N60L2WG onsemi ngtb50n60l2w-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 67 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
Switching Energy: 800µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60L2WG NGTB50N60L2WG ONSEMI NGTB50N60L2W-D.PDF Description: ONSEMI - NGTB50N60L2WG - IGBT, 600V, 100A, 175°C, 500W, TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60L2WG ngtb50n60l2w-d.pdf
Виробник: On Semiconductor
IGBT N-CH 600V 100A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60L2WG ngtb50n60l2w-d.pdf
NGTB50N60L2WG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 67 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
Switching Energy: 800µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60L2WG NGTB50N60L2W-D.PDF
NGTB50N60L2WG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB50N60L2WG - IGBT, 600V, 100A, 175°C, 500W, TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.