Продукція > ONSEMI > NGTB50N60S1WG
NGTB50N60S1WG

NGTB50N60S1WG onsemi


NGTB50N60S1WG.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT 50A 600V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 417 W
на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
93+214.31 грн
Мінімальне замовлення: 93
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NGTB50N60S1WG onsemi

Description: IGBT 50A 600V TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 94 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns, Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 220 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 417 W.

Інші пропозиції NGTB50N60S1WG за ціною від 267.51 грн до 267.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NGTB50N60S1WG Виробник : ONSEMI NGTB50N60S1WG.pdf Description: ONSEMI - NGTB50N60S1WG - IGBT, SINGLE, 600V, 100A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
120+267.51 грн
Мінімальне замовлення: 120
NGTB50N60S1WG NGTB50N60S1WG Виробник : ON Semiconductor ngtb50n60s1w-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB50N60S1WG NGTB50N60S1WG Виробник : onsemi NGTB50N60S1WG.pdf Description: IGBT 50A 600V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 417 W
товар відсутній