NGTB50N65FL2WAG
Код товару: 154577
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції NGTB50N65FL2WAG за ціною від 192.13 грн до 192.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NGTB50N65FL2WAG | onsemi |
Description: IGBT FS 650V 160A TO-247-4L Power - Max: 417 W Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Gate Charge: 215 nC Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 420µJ (on), 550µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 23ns/123ns IGBT Type: Field Stop Supplier Device Package: TO-247-4L Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Reverse Recovery Time (trr): 94 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Bulk |
на замовлення 3330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| NGTB50N65FL2WAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB50N65FL2WAG - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 142 шт В кошику од. на суму грн. |
| NGTB50N65FL2WAG |
|
Виробник: onsemi
Description: IGBT FS 650V 160A TO-247-4L
Power - Max: 417 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Gate Charge: 215 nC
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 420µJ (on), 550µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/123ns
IGBT Type: Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Bulk
Description: IGBT FS 650V 160A TO-247-4L
Power - Max: 417 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Gate Charge: 215 nC
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 420µJ (on), 550µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/123ns
IGBT Type: Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Bulk
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 104+ | 192.13 грн |
| NGTB50N65FL2WAG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB50N65FL2WAG - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NGTB50N65FL2WAG - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)