NGTB50N65FL2WG onsemi
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 417 W
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 417 W
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 434.03 грн |
30+ | 333.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGTB50N65FL2WG onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 94 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns, Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 220 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 417 W.
Інші пропозиції NGTB50N65FL2WG за ціною від 218.98 грн до 471.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NGTB50N65FL2WG | Виробник : onsemi | IGBT Transistors 600V/50A FAST IGBT FSII T |
на замовлення 311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NGTB50N65FL2WG | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 196 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
NGTB50N65FL2WG | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NGTB50N65FL2WG | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |