Продукція > ONSEMI > NGTB75N65FL2WG
NGTB75N65FL2WG

NGTB75N65FL2WG onsemi

ngtb75n65fl2w-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 595 W
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+701.35 грн
30+398.94 грн
120+338.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NGTB75N65FL2WG onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 80 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns, Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 310 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 595 W.

Інші пропозиції NGTB75N65FL2WG за ціною від 310.05 грн до 791.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NGTB75N65FL2WG NGTB75N65FL2WG Виробник : ONSEMI ngtb75n65fl2w-d.pdf Description: ONSEMI - NGTB75N65FL2WG - IGBT, 100 A, 1.75 V, 595 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+791.58 грн
5+783.01 грн
10+774.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WG Виробник : onsemi NGTB75N65FL2W-D.PDF IGBTs IGBT, 650V 75A FS2 Solar/UPS
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+758.20 грн
10+441.75 грн
90+310.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WG Виробник : ON Semiconductor ngtb75n65fl2w-d.pdf
на замовлення 379 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WG NGTB75N65FL2WG Виробник : ON Semiconductor ngtb75n65fl2w-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 595000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WG Виробник : ONSEMI ngtb75n65fl2w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 265W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 265W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.