Продукція > ONSEMI > NGTD14T65F2WP

NGTD14T65F2WP onsemi

ngtd14t65f2wp-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NGTD14T65F2WP onsemi

Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE, Packaging: Bulk, Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A, Supplier Device Package: Die, IGBT Type: Trench Field Stop, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A.

Інші пропозиції NGTD14T65F2WP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NGTD14T65F2WP Виробник : ON Semiconductor ngtd14t65f2wp-d.pdf IGBT Transistors IGBT, 650V 35A FS2 bare die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.