NGTD15R65F2WP onsemi
Виробник: onsemiDescription: DIODE GEN PURP 650V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: Standard
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.9 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGTD15R65F2WP onsemi
Description: DIODE GEN PURP 650V DIE, Packaging: Bulk, Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Technology: Standard, Supplier Device Package: Die, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.9 V @ 25 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 650 V.
Інші пропозиції NGTD15R65F2WP
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NGTD15R65F2WP | Виробник : onsemi |
IGBT Transistors 650V/50A CC15 FAST RECTIFIER UNSAWN WAFER SALES |
товару немає в наявності |