Продукція > ONSEMI > NGTG15N120FL2WG
NGTG15N120FL2WG

NGTG15N120FL2WG onsemi


ngtg15n120fl2w-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/128ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
на замовлення 1790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
146+142.17 грн
Мінімальне замовлення: 146
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NGTG15N120FL2WG onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 64ns/128ns, Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off), Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 109 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 294 W.

Інші пропозиції NGTG15N120FL2WG за ціною від 188.86 грн до 200.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NGTG15N120FL2WG NGTG15N120FL2WG Виробник : ON Semiconductor ngtg15n120fl2w-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
152+200.83 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2WG NGTG15N120FL2WG Виробник : ON Semiconductor ngtg15n120fl2w-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
152+200.83 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2WG Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013669909-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NGTG15N120FL2WG - IGBT, 30 A, 294 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 294W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+188.86 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2WG Виробник : ON Semiconductor ngtg15n120fl2w-d.pdf
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2WG Виробник : onsemi NGTG15N120FL2W_D-2317714.pdf IGBT Transistors 1200V/15A VERY FAST IGBT
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2WG NGTG15N120FL2WG Виробник : ON Semiconductor ngtg15n120fl2w-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2WG NGTG15N120FL2WG Виробник : onsemi ngtg15n120fl2w-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/128ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.