Інші пропозиції NGTG15N60S1EG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
NGTG15N60S1EG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 117000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|
|
NGTG15N60S1EG | Виробник : onsemi |
Description: IGBT NPT 600V 30A TO-220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-220AB IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 65ns/170ns Switching Energy: 550µJ (on), 350µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 88 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 117 W |
товару немає в наявності |
|
|
|
NGTG15N60S1EG | Виробник : onsemi |
IGBT Transistors 15A 600V IGBT |
товару немає в наявності |

