Технічний опис NGTG40N120FL2WG ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247, Power - Max: 535 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Part Status: Obsolete, Gate Charge: 313 nC, Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247-3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції NGTG40N120FL2WG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NGTG40N120FL2WG | ON Semiconductor |
IGBT Transistors 1200V/40A FAST IGBT FSII |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NGTG40N120FL2WG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
IGBT Transistors 1200V/40A FAST IGBT FSII
IGBT Transistors 1200V/40A FAST IGBT FSII
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


