NGTG40N120FL2WG ON Semiconductor


ngtg40n120fl2w-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor

на замовлення 260 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NGTG40N120FL2WG ON Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247, Power - Max: 535 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Part Status: Obsolete, Gate Charge: 313 nC, Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247-3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції NGTG40N120FL2WG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NGTG40N120FL2WG ON Semiconductor NGTG40N120FL2W_D-2318052.pdf IGBT Transistors 1200V/40A FAST IGBT FSII
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG40N120FL2WG NGTG40N120FL2W_D-2318052.pdf
Виробник: ON Semiconductor
IGBT Transistors 1200V/40A FAST IGBT FSII
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.