NGW50T65H3DFPQ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/98ns
Switching Energy: 1.7mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 340 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 384.10 грн |
| 10+ | 247.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGW50T65H3DFPQ Nexperia USA Inc.
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 145 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/98ns, Switching Energy: 1.7mJ (on), 500µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 85 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 340 W.
Інші пропозиції NGW50T65H3DFPQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NGW50T65H3DFPQ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NGW50T65H3DFPQ - IGBT, 80 A, 1.72 V, 340 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.72V Verlustleistung: 340W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
NGW50T65H3DFPQ | Nexperia |
IGBTs NGW50T65H3DFP/SOT429/TO-247 |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NGW50T65H3DFPQ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NGW50T65H3DFPQ - IGBT, 80 A, 1.72 V, 340 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.72V
Verlustleistung: 340W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: NEXPERIA - NGW50T65H3DFPQ - IGBT, 80 A, 1.72 V, 340 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.72V
Verlustleistung: 340W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NGW50T65H3DFPQ |
|
Виробник: Nexperia
IGBTs NGW50T65H3DFP/SOT429/TO-247
IGBTs NGW50T65H3DFP/SOT429/TO-247
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)