NGW50T65H3DFPQ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - NGW50T65H3DFPQ - IGBT, 80 A, 1.72 V, 340 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.72V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 398.07 грн |
| 10+ | 352.99 грн |
| 100+ | 299.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGW50T65H3DFPQ NEXPERIA
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 145 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/98ns, Switching Energy: 1.7mJ (on), 500µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 85 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 340 W.
Інші пропозиції NGW50T65H3DFPQ за ціною від 169.09 грн до 441.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NGW50T65H3DFPQ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-3L IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/98ns Switching Energy: 1.7mJ (on), 500µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 85 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 340 W |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NGW50T65H3DFPQ | Виробник : Nexperia |
IGBTs 650 V, 50 A trench field-stop IGBT with full rated silicon diode |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|