NGW60T65M3DFPQ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NGW60T65M3DFP/SOT429-2/TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 102 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/270ns
Switching Energy: 1.91mJ (on), 930µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 217 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 431 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 416.42 грн |
| 10+ | 268.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGW60T65M3DFPQ Nexperia USA Inc.
Description: NGW60T65M3DFP/SOT429-2/TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 102 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247-3L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 36ns/270ns, Switching Energy: 1.91mJ (on), 930µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 217 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 431 W.
Інші пропозиції NGW60T65M3DFPQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NGW60T65M3DFPQ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NGW60T65M3DFPQ - IGBT, 80 A, 1.45 V, 431 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Verlustleistung: 431W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
NGW60T65M3DFPQ | Nexperia |
IGBTs NGW60T65M3DFP/SOT429/TO247-3L |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NGW60T65M3DFPQ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NGW60T65M3DFPQ - IGBT, 80 A, 1.45 V, 431 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 431W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: NEXPERIA - NGW60T65M3DFPQ - IGBT, 80 A, 1.45 V, 431 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 431W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NGW60T65M3DFPQ |
|
Виробник: Nexperia
IGBTs NGW60T65M3DFP/SOT429/TO247-3L
IGBTs NGW60T65M3DFP/SOT429/TO247-3L
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)