NGW60T65M3DFPQ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: NGW60T65M3DFP/SOT429-2/TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 102 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3L
IGBT Type: Trench Field Stop
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 217 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 431 W
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/270ns
Switching Energy: 1.91mJ (on), 930µJ (off)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 415.84 грн |
| 10+ | 268.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGW60T65M3DFPQ Nexperia USA Inc.
Description: NGW60T65M3DFP/SOT429-2/TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 102 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247-3L, IGBT Type: Trench Field Stop, Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 217 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 431 W, Td (on/off) @ 25°C: 36ns/270ns, Switching Energy: 1.91mJ (on), 930µJ (off).
Інші пропозиції NGW60T65M3DFPQ за ціною від 166.05 грн до 453.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NGW60T65M3DFPQ | Виробник : Nexperia |
IGBTs 650 V, 60 A trench field-stop IGBT with full rated silicon diode |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|