NGW75T65H3DFPQ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NGW75T65H3DFP/SOT429-2/TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 122 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/130ns
Switching Energy: 2.94mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 124 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 502 A
Power - Max: 502 W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGW75T65H3DFPQ Nexperia USA Inc.
Description: NGW75T65H3DFP/SOT429-2/TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 122 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/130ns, Switching Energy: 2.94mJ (on), 950µJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 124 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 502 A, Power - Max: 502 W.
Інші пропозиції NGW75T65H3DFPQ за ціною від 178.20 грн до 637.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NGW75T65H3DFPQ | Виробник : Nexperia |
IGBTs NGW75T65H3DFP/SOT429-2/TO247-3 |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NGW75T65H3DFPQ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NGW75T65H3DFPQ - IGBT, 80 A, 1.68 V, 502 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NGW75T65H3DFPQ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NGW75T65H3DFPQ - IGBT, 80 A, 1.68 V, 502 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 502W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|