Продукція > NEXPERIA > NGW75T65H3DFQ
NGW75T65H3DFQ

NGW75T65H3DFQ NEXPERIA


NGW75T65H3DF.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NGW75T65H3DFQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 600 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+486.09 грн
10+438.66 грн
100+371.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NGW75T65H3DFQ NEXPERIA

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 165 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 29ns/170ns, Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 160 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 600 W, Switching Energy: 2.9mJ (on), 1.1mJ (off).

Інші пропозиції NGW75T65H3DFQ за ціною від 337.19 грн до 523.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NGW75T65H3DFQ NGW75T65H3DFQ Виробник : Nexperia USA Inc. NGW75T65H3DF.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/170ns
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 600 W
Switching Energy: 2.9mJ (on), 1.1mJ (off)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+519.35 грн
10+337.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGW75T65H3DFQ NGW75T65H3DFQ Виробник : Nexperia NGW75T65H3DF.pdf IGBTs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+523.14 грн
10+377.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.