NHDTA114ET-QR

NHDTA114ET-QR Nexperia USA Inc.


Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NHDTA114ET-Q/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NHDTA114ET-QR Nexperia USA Inc.

Description: NHDTA114ET-Q/SOT23/TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції NHDTA114ET-QR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NHDTA114ET-QR NHDTA114ET-QR Виробник : Nexperia Bipolar Transistors - BJT 80 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.