Продукція > NEXPERIA USA INC. > NHDTA114ETVL
NHDTA114ETVL

NHDTA114ETVL Nexperia USA Inc.

NHDTA114_124_144ET_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 80V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+2.21 грн
20000+1.92 грн
30000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NHDTA114ETVL Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NHDTA114ETVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-236AB, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: NHDTA114ET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V.

Інші пропозиції NHDTA114ETVL за ціною від 2.19 грн до 19.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NHDTA114ETVL NHDTA114ETVL NEXPERIA NHDTA114_124_144ET_SER.pdf Description: NEXPERIA - NHDTA114ETVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA114ET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
на замовлення 8760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.38 грн
115+7.10 грн
500+4.55 грн
1000+3.28 грн
5000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTA114ETVL NHDTA114ETVL Nexperia USA Inc. NHDTA114_124_144ET_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 80V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 39640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
39+7.85 грн
100+4.87 грн
500+3.33 грн
1000+2.93 грн
2000+2.59 грн
5000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTA114ETVL NHDTA114ETVL NEXPERIA NHDTA114_124_144ET_SER.pdf Description: NEXPERIA - NHDTA114ETVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA114ET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
на замовлення 8760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.02 грн
72+11.38 грн
115+7.10 грн
500+4.55 грн
1000+3.28 грн
5000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTA114ETVL NHDTA114_124_144ET_SER.pdf
NHDTA114ETVL
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTA114ETVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA114ET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
на замовлення 8760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+11.38 грн
115+7.10 грн
500+4.55 грн
1000+3.28 грн
5000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTA114ETVL NHDTA114_124_144ET_SER.pdf
NHDTA114ETVL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 80V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 39640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.32 грн
39+7.85 грн
100+4.87 грн
500+3.33 грн
1000+2.93 грн
2000+2.59 грн
5000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTA114ETVL NHDTA114_124_144ET_SER.pdf
NHDTA114ETVL
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTA114ETVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA114ET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
на замовлення 8760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
43+19.02 грн
72+11.38 грн
115+7.10 грн
500+4.55 грн
1000+3.28 грн
5000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.