NHDTA114ETVL

NHDTA114ETVL Nexperia USA Inc.


NHDTA114_124_144ET_SER.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 80V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.16 грн
20000+1.90 грн
30000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NHDTA114ETVL Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NHDTA114ETVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: NHDTA114ET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NHDTA114ETVL за ціною від 2.01 грн до 10.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NHDTA114ETVL NHDTA114ETVL Виробник : NEXPERIA NHDTA114_124_144ET_SER.pdf Description: NEXPERIA - NHDTA114ETVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA114ET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.10 грн
1000+2.19 грн
5000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTA114ETVL NHDTA114ETVL Виробник : Nexperia USA Inc. NHDTA114_124_144ET_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 80V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.55 грн
48+6.51 грн
100+4.33 грн
500+3.09 грн
1000+2.76 грн
2000+2.47 грн
5000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTA114ETVL NHDTA114ETVL Виробник : NEXPERIA NHDTA114_124_144ET_SER.pdf Description: NEXPERIA - NHDTA114ETVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA114ET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+10.23 грн
116+7.17 грн
223+3.71 грн
500+3.10 грн
1000+2.19 грн
5000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTA114ETVL NHDTA114ETVL Виробник : NEXPERIA nhdta114_124_144et_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 80V 100mA 350mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTA114ETVL NHDTA114ETVL Виробник : Nexperia NHDTA114_124_144ET_SER-1880127.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased NHDTA114ET/SOT23/TO-236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.