NHDTA114YT-QR NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTA114YT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.59 грн |
| 500+ | 7.03 грн |
| 1000+ | 5.68 грн |
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Технічний опис NHDTA114YT-QR NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTA114YT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: NHDTA114YT-Q Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V.
Інші пропозиції NHDTA114YT-QR за ціною від 5.68 грн до 30.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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NHDTA114YT-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTA114YT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTA114YT-Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V |
на замовлення 2825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NHDTA114YT-QR |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTA114YT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA114YT-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
Description: NEXPERIA - NHDTA114YT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
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Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA114YT-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 30.22 грн |
| 48+ | 17.27 грн |
| 100+ | 10.59 грн |
| 500+ | 7.03 грн |
| 1000+ | 5.68 грн |