Продукція > NEXPERIA USA INC. > NHDTA123JTR
NHDTA123JTR

NHDTA123JTR Nexperia USA Inc.

NHDTA123JT_143ZT_114YT_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 80V TO236AB
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Frequency - Transition: 150 MHz
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.71 грн
6000+2.33 грн
9000+2.19 грн
15000+1.90 грн
21000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NHDTA123JTR Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NHDTA123JTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: NHDTA123JT Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NHDTA123JTR за ціною від 2.82 грн до 13.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NHDTA123JTR NHDTA123JTR Nexperia nhdta123jt_143zt_114yt_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 80V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+3.25 грн
15000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTA123JTR NHDTA123JTR Nexperia nhdta123jt_143zt_114yt_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 80V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTA123JTR NHDTA123JTR Nexperia nhdta123jt_143zt_114yt_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 80V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6834+5.19 грн
10000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTA123JTR NHDTA123JTR Nexperia USA Inc. NHDTA123JT_143ZT_114YT_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 80V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 26390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.98 грн
38+7.93 грн
100+4.93 грн
500+3.38 грн
1000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTA123JTR NHDTA123JTR Nexperia NHDTA123JT_143ZT_114YT_SER.pdf Digital Transistors SOT23 80V PNP RET BJT
на замовлення 8078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTA123JTR nhdta123jt_143zt_114yt_ser.pdf
NHDTA123JTR
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 80V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12000+3.25 грн
15000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTA123JTR nhdta123jt_143zt_114yt_ser.pdf
NHDTA123JTR
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 80V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTA123JTR nhdta123jt_143zt_114yt_ser.pdf
NHDTA123JTR
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 80V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6834+5.19 грн
10000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTA123JTR NHDTA123JT_143ZT_114YT_SER.pdf
NHDTA123JTR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 80V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 26390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+13.98 грн
38+7.93 грн
100+4.93 грн
500+3.38 грн
1000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTA123JTR NHDTA123JT_143ZT_114YT_SER.pdf
NHDTA123JTR
Виробник: Nexperia
Digital Transistors SOT23 80V PNP RET BJT
на замовлення 8078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.