NHDTA143ZTR

NHDTA143ZTR Nexperia USA Inc.


NHDTA123JT_143ZT_114YT_SER.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 80V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 66000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.57 грн
6000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NHDTA143ZTR Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NHDTA143ZTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: NHDTA143ZT Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NHDTA143ZTR за ціною від 2.92 грн до 20.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NHDTA143ZTR NHDTA143ZTR Виробник : NEXPERIA NHDTA123JT_143ZT_114YT_SER.pdf Description: NEXPERIA - NHDTA143ZTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA143ZT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.86 грн
1000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTA143ZTR NHDTA143ZTR Виробник : Nexperia USA Inc. NHDTA123JT_143ZT_114YT_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 80V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 70276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.30 грн
31+10.50 грн
50+7.47 грн
100+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTA143ZTR NHDTA143ZTR Виробник : Nexperia NHDTA123JT_143ZT_114YT_SER.pdf Digital Transistors SOT23 80V PNP RET BJT
на замовлення 14738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+19.29 грн
31+11.50 грн
50+7.15 грн
100+6.15 грн
1000+4.31 грн
3000+3.23 грн
6000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTA143ZTR NHDTA143ZTR Виробник : NEXPERIA NHDTA123JT_143ZT_114YT_SER.pdf Description: NEXPERIA - NHDTA143ZTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTA143ZT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+20.19 грн
71+12.25 грн
114+7.58 грн
500+4.86 грн
1000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.