Продукція > NEXPERIA USA INC. > NHDTC114ETR
NHDTC114ETR

NHDTC114ETR Nexperia USA Inc.

NHDTC114_124_144ET_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 170 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.56 грн
6000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NHDTC114ETR Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NHDTC114ETR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-236AB, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: NHDTC114ET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції NHDTC114ETR за ціною від 2.81 грн до 24.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NHDTC114ETR NHDTC114ETR Nexperia nhdtc114_124_144et_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 80V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2577+4.22 грн
3000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 2577 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTC114ETR NHDTC114ETR Nexperia nhdtc114_124_144et_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 80V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6834+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTC114ETR NHDTC114ETR NEXPERIA NHDTC114_124_144ET_SER.pdf Description: NEXPERIA - NHDTC114ETR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC114ET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.68 грн
500+5.81 грн
1000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTC114ETR NHDTC114ETR Nexperia USA Inc. NHDTC114_124_144ET_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 170 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.40 грн
40+7.54 грн
100+4.66 грн
500+3.19 грн
1000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTC114ETR NHDTC114ETR NEXPERIA NHDTC114_124_144ET_SER.pdf Description: NEXPERIA - NHDTC114ETR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC114ET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+24.27 грн
57+14.14 грн
100+8.68 грн
500+5.81 грн
1000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTC114ETR NHDTC114ETR Nexperia NHDTC114_124_144ET_SER.pdf Digital Transistors SOT23 80V NPN RET BJ T
на замовлення 7354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTC114ETR nhdtc114_124_144et_ser.pdf
NHDTC114ETR
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 80V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2577+4.22 грн
3000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 2577 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTC114ETR nhdtc114_124_144et_ser.pdf
NHDTC114ETR
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 80V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6834+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTC114ETR NHDTC114_124_144ET_SER.pdf
NHDTC114ETR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTC114ETR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC114ET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+8.68 грн
500+5.81 грн
1000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTC114ETR NHDTC114_124_144ET_SER.pdf
NHDTC114ETR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 170 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.40 грн
40+7.54 грн
100+4.66 грн
500+3.19 грн
1000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTC114ETR NHDTC114_124_144ET_SER.pdf
NHDTC114ETR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTC114ETR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC114ET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+24.27 грн
57+14.14 грн
100+8.68 грн
500+5.81 грн
1000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTC114ETR NHDTC114_124_144ET_SER.pdf
NHDTC114ETR
Виробник: Nexperia
Digital Transistors SOT23 80V NPN RET BJ T
на замовлення 7354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.