NHDTC143ZTR Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 170 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.78 грн |
| 6000+ | 2.39 грн |
| 9000+ | 2.24 грн |
| 15000+ | 1.95 грн |
| 21000+ | 1.86 грн |
| 30000+ | 1.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NHDTC143ZTR Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - NHDTC143ZTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: NHDTC143ZT Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції NHDTC143ZTR за ціною від 3.05 грн до 13.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NHDTC143ZTR | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 30445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NHDTC143ZTR | Nexperia |
Digital Transistors SOT23 80V NPN RET BJ T |
на замовлення 7926 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
NHDTC143ZTR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTC143ZTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC143ZT Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
NHDTC143ZTR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHDTC143ZTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - HF-Transistor: TO-236AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: NHDTC143ZT Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 1955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| NHDTC143ZTR |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 170 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 170 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 30445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 13.98 грн |
| 37+ | 8.15 грн |
| 100+ | 5.07 грн |
| 500+ | 3.47 грн |
| 1000+ | 3.05 грн |
| NHDTC143ZTR |
|
Виробник: Nexperia
Digital Transistors SOT23 80V NPN RET BJ T
Digital Transistors SOT23 80V NPN RET BJ T
на замовлення 7926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NHDTC143ZTR |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTC143ZTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC143ZT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - NHDTC143ZTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC143ZT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NHDTC143ZTR |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTC143ZTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC143ZT
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: NEXPERIA - NHDTC143ZTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC143ZT
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)