NHDTC143ZTVL

NHDTC143ZTVL Nexperia USA Inc.


NHDTC123JT_143ZT_114YT_SER.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 170 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.40 грн
20000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NHDTC143ZTVL Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NHDTC143ZTVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: NHDTC143ZT Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NHDTC143ZTVL за ціною від 2.38 грн до 14.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NHDTC143ZTVL NHDTC143ZTVL Виробник : NEXPERIA NHDTC123JT_143ZT_114YT_SER.pdf Description: NEXPERIA - NHDTC143ZTVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC143ZT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTC143ZTVL NHDTC143ZTVL Виробник : NEXPERIA NHDTC123JT_143ZT_114YT_SER.pdf Description: NEXPERIA - NHDTC143ZTVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC143ZT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
82+10.07 грн
118+7.01 грн
228+3.63 грн
500+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTC143ZTVL NHDTC143ZTVL Виробник : Nexperia USA Inc. NHDTC123JT_143ZT_114YT_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 170 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 23397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.32 грн
36+8.58 грн
100+5.30 грн
500+3.63 грн
1000+3.19 грн
2000+2.82 грн
5000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTC143ZTVL Виробник : NEXPERIA nhdtc123jt_143zt_114yt_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 80V 100mA 350mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTC143ZTVL NHDTC143ZTVL Виробник : Nexperia NHDTC123JT_143ZT_114YT_SER-1880106.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased NHDTC143ZT/SOT23/TO-236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.