NHPM120T3G onsemi
Виробник: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-216AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Powermite
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 28.57 грн |
| 14+ | 22.24 грн |
| 25+ | 20.36 грн |
| 100+ | 12.88 грн |
| 250+ | 10.66 грн |
| 500+ | 9.77 грн |
| 1000+ | 7.21 грн |
| 2500+ | 6.77 грн |
| 5000+ | 6.33 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
12 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NHPM120T3G onsemi
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-216AA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Powermite, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V.
Інші пропозиції NHPM120T3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NHPM120T3G | ON Semiconductor |
Rectifiers PUF1A 200V IN PWRMIT |
на замовлення 3980 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NHPM120T3G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Rectifiers PUF1A 200V IN PWRMIT
Rectifiers PUF1A 200V IN PWRMIT
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)