
NHPV08S600G onsemi

Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 127.02 грн |
10+ | 109.32 грн |
25+ | 103.79 грн |
100+ | 74.79 грн |
250+ | 66.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NHPV08S600G onsemi
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V.
Інші пропозиції NHPV08S600G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
NHPV08S600G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
![]() |
NHPV08S600G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |