Продукція > NEXPERIA USA INC. > NHUMB13X
NHUMB13X

NHUMB13X Nexperia USA Inc.

NHUMB10_13_9_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 80V 6-TSSOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.16 грн
6000+3.60 грн
9000+3.39 грн
15000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NHUMB13X Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NHUMB13X - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-88, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: NHUMB13 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V.

Інші пропозиції NHUMB13X за ціною від 4.51 грн до 27.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NHUMB13X NHUMB13X NEXPERIA 3106918.pdf Description: NEXPERIA - NHUMB13X - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-88
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: NHUMB13 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.47 грн
500+6.78 грн
1000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMB13X NHUMB13X Nexperia USA Inc. NHUMB10_13_9_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 80V 6-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.42 грн
26+11.74 грн
100+7.36 грн
500+5.09 грн
1000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMB13X NHUMB13X NEXPERIA NHUMB10_13_9_SER.pdf Description: NEXPERIA - NHUMB13X - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-88
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: NHUMB13 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.06 грн
46+17.80 грн
100+10.47 грн
500+6.78 грн
1000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMB13X 3106918.pdf
NHUMB13X
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHUMB13X - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-88
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: NHUMB13 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+10.47 грн
500+6.78 грн
1000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMB13X NHUMB10_13_9_SER.pdf
NHUMB13X
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 80V 6-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.42 грн
26+11.74 грн
100+7.36 грн
500+5.09 грн
1000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMB13X NHUMB10_13_9_SER.pdf
NHUMB13X
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHUMB13X - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-88
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: NHUMB13 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+27.06 грн
46+17.80 грн
100+10.47 грн
500+6.78 грн
1000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.