NHUMB2F Nexperia
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8380+ | 3.64 грн |
| 10000+ | 3.24 грн |
| 100000+ | 2.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NHUMB2F Nexperia
Description: NEXPERIA - NHUMB2F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 80 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: NHUMB2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції NHUMB2F за ціною від 8.12 грн до 11.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NHUMB2F | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - NHUMB2F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 80 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: NHUMB2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NHUMB2F | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NHUMB2F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 80 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: NHUMB2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NHUMB2F | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 80V 6-TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NHUMB2F | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 80V 6-TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
NHUMB2F | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 80 V, 100 mA PNP/PNP resistor-equipped double transistors |
товару немає в наявності |