Продукція > NEXPERIA > NHUMB9F

NHUMB9F Nexperia

Name: NHUMB9F
Brand: Nexperia
SKU: 30939609-5
Price: 30587 UAH
Availability: InStock

Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 80V 0.1A 350mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8380+	3.65 грн
10000+	3.25 грн
100000+	2.72 грн

Мінімальне замовлення: 8380

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NHUMB9F Nexperia

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 80V 6-TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 350mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 150MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: 6-TSSOP, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NHUMB9F

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
NHUMB9F	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: TRANS PREBIAS 2PNP 80V 6-TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NHUMB9F	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: TRANS PREBIAS 2PNP 80V 6-TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NHUMB9F	Виробник : Nexperia	Bipolar Transistors - BJT 80 V, 100 mA PNP/PNP resistor-equipped double transistors	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.