NHUMD12F Nexperia USA Inc.


NHUMD3_2_12_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 170MHz, 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NHUMD12F Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 350mW, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Part Status: Active, Supplier Device Package: 6-TSSOP, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Frequency - Transition: 170MHz, 150MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V.

Інші пропозиції NHUMD12F за ціною від 4.05 грн до 30.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NHUMD12F NHUMD12F Nexperia USA Inc. NHUMD3_2_12_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 170MHz, 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.02 грн
13+23.57 грн
100+12.49 грн
500+7.71 грн
1000+5.24 грн
2000+4.73 грн
5000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMD12F NHUMD3_2_12_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 170MHz, 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.02 грн
13+23.57 грн
100+12.49 грн
500+7.71 грн
1000+5.24 грн
2000+4.73 грн
5000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.