NHUMD12X Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 170MHz, 150MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.46 грн |
| 6000+ | 3.86 грн |
| 9000+ | 3.64 грн |
| 15000+ | 3.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NHUMD12X Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 350mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 170MHz, 150MHz, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: 6-TSSOP, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NHUMD12X за ціною від 3.30 грн до 30.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NHUMD12X | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz, 150MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 18518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NHUMD12X | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT NHUMD12/SOT363/SC-88 |
на замовлення 7728 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|