Продукція > NEXPERIA USA INC. > NHUMD3F
NHUMD3F

NHUMD3F Nexperia USA Inc.

NHUMD3_2_12_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 170MHz, 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NHUMD3F Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NHUMD3F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 80 V, 80 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: NHUMD3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NHUMD3F за ціною від 3.85 грн до 27.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NHUMD3F NHUMD3F Nexperia USA Inc. NHUMD3_2_12_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 170MHz, 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 18175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.71 грн
17+18.31 грн
100+8.95 грн
500+7.00 грн
1000+4.87 грн
2000+4.22 грн
5000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMD3F NHUMD3F Nexperia NHUMD3_2_12_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT363 80V NPN/PNP R ET BJT
на замовлення 19515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMD3F NHUMD3F NEXPERIA NHUMD3_2_12_SER.pdf Description: NEXPERIA - NHUMD3F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 80 V, 80 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: NHUMD3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMD3F NHUMD3F NEXPERIA NHUMD3_2_12_SER.pdf Description: NEXPERIA - NHUMD3F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 80 V, 80 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: NHUMD3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMD3F NHUMD3_2_12_SER.pdf
NHUMD3F
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 170MHz, 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 18175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.71 грн
17+18.31 грн
100+8.95 грн
500+7.00 грн
1000+4.87 грн
2000+4.22 грн
5000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMD3F NHUMD3_2_12_SER.pdf
NHUMD3F
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT363 80V NPN/PNP R ET BJT
на замовлення 19515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMD3F NHUMD3_2_12_SER.pdf
NHUMD3F
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHUMD3F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 80 V, 80 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: NHUMD3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMD3F NHUMD3_2_12_SER.pdf
NHUMD3F
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHUMD3F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 80 V, 80 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: NHUMD3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.