NHUMD3X Nexperia USA Inc.


NHUMD3_2_12_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 170MHz, 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.71 грн
6000+4.21 грн
9000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NHUMD3X Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 6-TSSOP, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Frequency - Transition: 170MHz, 150MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 350mW.

Інші пропозиції NHUMD3X за ціною від 4.69 грн до 27.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NHUMD3X NHUMD3X Nexperia NHUMD3_2_12_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT363 80V NPN/PNP R ET BJT
на замовлення 8278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.34 грн
19+17.55 грн
100+9.66 грн
500+6.14 грн
1000+5.32 грн
3000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMD3X NHUMD3X Nexperia USA Inc. NHUMD3_2_12_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 170MHz, 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.96 грн
17+18.47 грн
100+9.03 грн
500+7.07 грн
1000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMD3X NHUMD3_2_12_SER.pdf
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT363 80V NPN/PNP R ET BJT
на замовлення 8278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+26.34 грн
19+17.55 грн
100+9.66 грн
500+6.14 грн
1000+5.32 грн
3000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMD3X NHUMD3_2_12_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 170MHz, 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.96 грн
17+18.47 грн
100+9.03 грн
500+7.07 грн
1000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.