Продукція > NEXPERIA USA INC. > NHUMH10X
NHUMH10X

NHUMH10X Nexperia USA Inc.

NHUMH10_13_9_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.40 грн
6000+4.68 грн
9000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NHUMH10X Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NHUMH10X - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: NHUMH10 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NHUMH10X за ціною від 5.83 грн до 25.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NHUMH10X NHUMH10X Nexperia USA Inc. NHUMH10_13_9_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
на замовлення 14390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.37 грн
21+15.12 грн
100+9.48 грн
500+6.58 грн
1000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMH10X NHUMH10X Nexperia NHUMH10_13_9_SER-2886016.pdf Bipolar Transistors - BJT NHUMH10/SOT363/SC-88
на замовлення 3856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMH10X NHUMH10X NEXPERIA NHUMH10_13_9_SER.pdf Description: NEXPERIA - NHUMH10X - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: NHUMH10 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMH10X NHUMH10X NEXPERIA NHUMH10_13_9_SER.pdf Description: NEXPERIA - NHUMH10X - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: NHUMH10 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMH10X NHUMH10_13_9_SER.pdf
NHUMH10X
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
на замовлення 14390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.37 грн
21+15.12 грн
100+9.48 грн
500+6.58 грн
1000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMH10X NHUMH10_13_9_SER-2886016.pdf
NHUMH10X
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT NHUMH10/SOT363/SC-88
на замовлення 3856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMH10X NHUMH10_13_9_SER.pdf
NHUMH10X
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHUMH10X - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: NHUMH10 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMH10X NHUMH10_13_9_SER.pdf
NHUMH10X
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHUMH10X - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: NHUMH10 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.