Продукція > NEXPERIA USA INC. > NHUMH11X
NHUMH11X

NHUMH11X Nexperia USA Inc.

NHUMH11_1_2_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 80V 6-TSSOP
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 170MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.09 грн
6000+4.42 грн
9000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NHUMH11X Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NHUMH11X - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: NHUMH11 Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NHUMH11X за ціною від 5.50 грн до 24.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NHUMH11X NHUMH11X Nexperia USA Inc. NHUMH11_1_2_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 80V 6-TSSOP
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 170MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
на замовлення 18189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.58 грн
22+14.28 грн
100+8.93 грн
500+6.21 грн
1000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMH11X NHUMH11X Nexperia NHUMH11_1_2_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT NHUMH11/SOT363/SC-88
на замовлення 7841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMH11X NHUMH11X NEXPERIA 3106923.pdf Description: NEXPERIA - NHUMH11X - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: NHUMH11 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMH11X NHUMH11X NEXPERIA 3106923.pdf Description: NEXPERIA - NHUMH11X - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: NHUMH11 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMH11X NHUMH11_1_2_SER.pdf
NHUMH11X
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 80V 6-TSSOP
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 350mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 170MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
на замовлення 18189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.58 грн
22+14.28 грн
100+8.93 грн
500+6.21 грн
1000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMH11X NHUMH11_1_2_SER.pdf
NHUMH11X
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT NHUMH11/SOT363/SC-88
на замовлення 7841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMH11X 3106923.pdf
NHUMH11X
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHUMH11X - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: NHUMH11 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMH11X 3106923.pdf
NHUMH11X
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHUMH11X - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: NHUMH11 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.