Продукція > NEXPERIA > NHUMH13X
NHUMH13X

NHUMH13X NEXPERIA

NHUMH10_13_9_SER.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHUMH13X - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: NHUMH13 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.90 грн
1000+3.55 грн
2000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NHUMH13X NEXPERIA

Description: NEXPERIA - NHUMH13X - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: NHUMH13 Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NHUMH13X за ціною від 3.35 грн до 26.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NHUMH13X NHUMH13X Виробник : NEXPERIA 3106922.pdf Description: NEXPERIA - NHUMH13X - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: NHUMH13 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+14.69 грн
91+9.37 грн
195+4.35 грн
500+4.01 грн
1000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMH13X NHUMH13X Виробник : Nexperia NHUMH10_13_9_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT363 80V NPN/NPN RET BJT
на замовлення 13479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+26.44 грн
22+15.84 грн
100+8.58 грн
500+6.32 грн
1000+4.89 грн
3000+4.22 грн
6000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMH13X Виробник : NEXPERIA NHUMH10_13_9_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: NHUMH13X
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMH13X NHUMH13X Виробник : Nexperia USA Inc. NHUMH10_13_9_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 80V 6-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 170MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NHUMH13X NHUMH13X Виробник : Nexperia USA Inc. NHUMH10_13_9_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 80V 6-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 170MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.