NIMD6302R2 ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NIMD6302R2 - NIMD6302R2, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NIMD6302R2 ONSEMI
Description: NFET SO8D 30V .050R, Part Status: Active, Packaging: Bulk, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 16 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): 12V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).
Інші пропозиції NIMD6302R2 за ціною від 101.72 грн до 101.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NIMD6302R2 | onsemi |
Description: NFET SO8D 30V .050R Part Status: Active Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 16 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): 12V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) |
на замовлення 7385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
| NIMD6302R2 | ON |
09+ |
на замовлення 4018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NIMD6302R2 |
|
Виробник: onsemi
Description: NFET SO8D 30V .050R
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 16 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): 12V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Description: NFET SO8D 30V .050R
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 16 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): 12V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 7385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 197+ | 101.72 грн |
| NIMD6302R2 |
|
Виробник: ON
09+
09+
на замовлення 4018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)