NIMD6302R2 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NIMD6302R2 - NIMD6302R2, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 349+ | 77.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NIMD6302R2 ONSEMI
Description: NFET SO8D 30V .050R, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, Power Dissipation (Max): 2W, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs (Max): 12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 16 V.
Інші пропозиції NIMD6302R2 за ціною від 93.00 грн до 93.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NIMD6302R2 | Виробник : onsemi |
Description: NFET SO8D 30V .050R Packaging: Bulk Part Status: Active Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Power Dissipation (Max): 2W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 16 V |
на замовлення 7385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| NIMD6302R2 | Виробник : ON |
09+ |
на замовлення 4018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |