Продукція > ONSEMI > NJD1718T4G
NJD1718T4G

NJD1718T4G onsemi

njd1718-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.68 W
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+15.14 грн
5000+ 13.81 грн
12500+ 12.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJD1718T4G onsemi

Description: TRANS PNP 50V 2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1.68 W.

Інші пропозиції NJD1718T4G за ціною від 15.23 грн до 39.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NJD1718T4G NJD1718T4G Виробник : ON Semiconductor njd1718-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 1680mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NJD1718T4G NJD1718T4G Виробник : onsemi njd1718-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.68 W
на замовлення 15431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.72 грн
10+ 33.24 грн
100+ 23.01 грн
500+ 18.05 грн
1000+ 15.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
NJD1718T4G NJD1718T4G Виробник : ON Semiconductor NJD1718-D-113924.pdf Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR DPAK 50V
на замовлення 4873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NJD1718T4G Виробник : ON Semiconductor njd1718-d.pdf
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJD1718T4G NJD1718T4G Виробник : ON Semiconductor njd1718-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 1680mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NJD1718T4G NJD1718T4G Виробник : ON Semiconductor njd1718-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 1680mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній