NJD1718T4G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.68 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 17.54 грн |
| 5000+ | 15.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJD1718T4G onsemi
Description: TRANS PNP 50V 2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1.68 W.
Інші пропозиції NJD1718T4G за ціною від 14.28 грн до 75.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NJD1718T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 1680mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NJD1718T4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 2A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.68 W |
на замовлення 7446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NJD1718T4G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR DPAK 50V |
на замовлення 24608 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NJD1718T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR DPAK 50V |
на замовлення 4873 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| NJD1718T4G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
NJD1718T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 1680mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
NJD1718T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 1680mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |

