Продукція > ONSEMI > NJD2873T4G
NJD2873T4G

NJD2873T4G onsemi

njd2873t4-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Power - Max: 1.68 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Frequency - Transition: 65MHz
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+14.08 грн
5000+12.43 грн
7500+11.85 грн
12500+10.52 грн
17500+10.16 грн
25000+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJD2873T4G onsemi

Description: ONSEMI - NJD2873T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.68 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.68W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 65MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NJD2873T4G за ціною від 14.44 грн до 57.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NJD2873T4G NJD2873T4G onsemi njd2873t4-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.68 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
на замовлення 29080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+34.40 грн
100+22.29 грн
500+16.02 грн
1000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJD2873T4G NJD2873T4G onsemi njd2873t4-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 2A 50V 12.5W NPN
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJD2873T4G NJD2873T4G ONSEMI 1750728.pdf Description: ONSEMI - NJD2873T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.68 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 13464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJD2873T4G NJD2873T4G ONSEMI 2354493.pdf Description: ONSEMI - NJD2873T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.68 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 13464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJD2873T4G********
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJD2873T4G ON Semiconductor njd2873t4-d.pdf
на замовлення 16034 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJD2873T4G njd2873t4-d.pdf
NJD2873T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.68 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
на замовлення 29080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.22 грн
10+34.40 грн
100+22.29 грн
500+16.02 грн
1000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJD2873T4G njd2873t4-d.pdf
NJD2873T4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 2A 50V 12.5W NPN
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJD2873T4G 1750728.pdf
NJD2873T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJD2873T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.68 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 13464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJD2873T4G 2354493.pdf
NJD2873T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJD2873T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.68 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 13464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJD2873T4G********
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJD2873T4G njd2873t4-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 16034 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.